特許
J-GLOBAL ID：201103013704782215
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-295986
特許番号：特許第4149296号
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 1ビットのディジタル値を記憶するL(L=2のM乗となる整数)個のメモリセルからなり、各メモリセルが記憶するディジタル値の組み合わせをM(Mは2以上の正の整数)ビットのディジタル値で表現した記憶データが設定されるメモリセルブロックと、
上記メモリセルが記憶するディジタル値と一致比較される1ビットのディジタル値が設定されるサーチ線と、
L本のサーチ線に対して1ビットのディジタル値をそれぞれ設定して、Lビットのディジタル値の組み合わせをMビットのディジタル値で表現した検索データを設定する検索データ設定部と、
上記メモリセルブロックを構成するメモリセルが記憶するディジタル値とこれらメモリセルに接続するサーチ線に設定されたディジタル値とを一致比較して、上記記憶データと上記検索データの一致不一致を判定する一致比較部と、
上記一致比較部の判定結果を出力する出力部とを備え、
上記メモリセルブロックは、各メモリセルが記憶するディジタル値の組み合わせを「0」、「1」、「X(ドントケア)」の3値からなる3のM乗通りのMビットのディジタル値で表現した記憶データが設定され、
上記検索データ設定部は、メモリセルブロックを構成する各メモリセルに接続するL本のサーチ線のうちのいずれか1つのみをチャージして、Lビットのディジタル値の組み合わせをMビットのディジタル値で表現した検索データを設定する、半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 15/04 631 F
, G11C 15/04 601 A
