3進内容参照可能メモリハーフセルおよび3進内容参照可能メモリセル

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100162
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373493
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】静的な特徴を維持しつつ効率的な空間レイアウトを達成するSRAMベースのCAMセルを提供する。【解決手段】 CAMセルは1対のSRAMセルを含み、これらは各々、データ値を記憶するための1対の交差結合されたインバータと、相補ビット線対にアクセスするための1対のアクセスデバイスとを含む。CAMセルはさらに、各々が、SRAMセルの一方に記憶されたデータ値と対応のサーチ線上に与えられたサーチデータ値とを比較するための1対の比較回路を含む。CAMセルは均等な数のnチャネルデバイスとpチャネルデバイスとを有する。CAMセルは、セルアレイのレイアウトの効率を向上させるためにSRAMセルに対するアクセストランジスタとしてpチャネルトランジスタを用いる。この実現により、優れた機能的特徴を提供しつつ、セルごとに均衡のとれた数のpチャネルデバイスとnチャネルデバイスとが確実にもたらされる。

請求項（抜粋）：

3進内容参照可能メモリ(CAM)ハーフセルであって、(a) i.データ値を記憶するための1対の交差結合されたインバータと、ii.各々が、前記1対の交差結合されたインバータと1対の相補ビット線とのそれぞれの間に結合された、前記1対の相補ビット線にアクセスするための1対のアクセスデバイスとを有する、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セルと、(b) 前記SRAMセルに記憶された前記データ値と、サーチ線上に与えられたサーチデータ値とを比較するための比較回路とを含み、前記CAMハーフセルは均等な数のnチャネルデバイスとpチャネルデバイスとを有する、CAMハーフセル。

IPC (4件)：

G11C 15/04 601 , G11C 15/04 , H01L 21/8244 , H01L 27/11

FI (3件)：

G11C 15/04 601 W , G11C 15/04 E , H01L 27/10 381

Fターム (5件)：

5F083BS27 , 5F083BS50 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

連想メモリセルに「ドントケア」を記憶するための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-000598 出願人：ハル・コンピュータ・システムズ,インコーポレイテッド
特開昭62-165794
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-167792 出願人：株式会社日立製作所

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