特許
J-GLOBAL ID：201103035514997553

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
ヘミンク・ゲルトヤン

ヘミンク・ゲルトヤン について

, 
丹沢 徹

丹沢 徹 について

, 
田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332053
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006053
特許番号：特許第3884420号
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体層と制御ゲートの間に電荷蓄積層を備えて構成された電気的に多値データ識別記録可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、 前記メモリセルのしきい値を制御するしきい値制御手段であって、前記メモリセルのしきい値を変動させるために前記制御ゲートと前記半導体層との間に電圧パルスを印加する第1のステップと、前記電圧パルスの印加後に前記メモリセルのしきい値を検出する第2のステップとを、前記メモリセルのしきい値が所望のしきい値に達するまで前記電圧パルスを一定の電圧変動分ずつ高めながら繰り返すしきい値制御手段と、 を備え、 前記電圧パルスの初期値は対応するメモリセルの達するべき書き込み状態に応じた電圧を有し、 前記第1のステップと前記第2のステップを前記複数のメモリセルに対して同時に行い、それぞれのメモリセルが前記所望のしきい値に達した時にそれぞれのメモリセルに対する前記電圧パルスの印加を独立に止めることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 641
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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