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J-GLOBAL ID：201202192581770140   整理番号：12A1346526

低温プロセスによる形成した極薄絶縁膜/Si(001)界面の超高真空対応非接触C-V法による評価

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著者 (5件)：
庄子亮平

庄子亮平 について

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吉田俊幸

吉田俊幸 について

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橋詰保

橋詰保 について

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赤澤正道

赤澤正道 について

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長谷川英機

長谷川英機 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 61st  号： 2  ページ： 729  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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低温プロセス

低温プロセス について

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極

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絶縁膜

絶縁膜 について

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Si

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界面

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高真空

高真空 について

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非接触

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評価

評価 について


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