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J-GLOBAL ID：201202252894442340   整理番号：12A1371025

原子層堆積したAl₂O₃/In_0.53Ga_0.47Asにおける界面形成機構のエアギャップの容量-電圧法に基づく研究

Studies on atomic layer deposition Al₂O₃/In_0.53Ga_0.47As interface formation mechanism based on air-gap capacitance-voltage method

著者 (2件)： YOSHIDA Toshiyuki (Interdisciplinary Fac. of Sci. and Engineering, Shimane Univ., Matsue 690-8504, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 12  ページ： 122102-122102-4  発行年： 2012年09月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs表面におけるエアギャップの容量-電圧特性を,1-,2-,6-,9-,および17-サイクルの原子層堆積された(ALD)Al₂O₃について測定した。ALD処理の段階において,高密度のミッドギャップ状態が生成され,増加するが,自然酸化物成分は減少することが分かった。一方,通常のアニーリング処理を行うと,ミッドギャップ状態密度は急激に減少する。ミッドギャップ状態の発生は,酸素原子の欠損に関連する非化学量論的な酸化Alの成分に関係し,この状態はアニーリング処理の過程において再酸化されるように思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化アルミニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  間隙 ,  *容量電圧特性 ,  エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  点欠陥 ,  焼なまし ,  MIS構造 ,  水 ,  前駆体
準シソーラス用語： ミッドギャップ ,  ミッドギャップ準位 ,  原子層堆積 ,  酸素欠損

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  界面 ,  エアギャップ ,  研究