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J-GLOBAL ID：201202269746157157   整理番号：12A0183732

抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価

Investigation on filamentary conduction paths formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells

著者 (4件)： 岩田達哉 (京大) ,  西佑介 (京大) ,  木本恒暢 (京大) ,  木本恒暢 (京大 光・電子理工学教育研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 357(SDM2011 132-148)  ページ： 87-92  発行年： 2011年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Conductive-AFMを用いて,Pt/NiO/Pt抵抗変化素子に形成されたフィラメントを直接観察した。Pt/NiO/Pt素子をフォーミングしたところ,NiO薄膜の一部に変質領域(隆起あるいは陥没)がみられた。変質領域は直径約1μmであり,フィラメントはこの変質領域の周辺部に主に存在していることがわかった。ひとつの変質領域につき数本から10数本のフィラメントが存在する。その面積は典型的なもので2500nm²であり,およそ200nm²から20000nm²の範囲の面積を有する。さらに,低抵抗状態においては,10mΩcmのオーダの抵抗率を有するフィラメントが主に電流を担っており,抵抗値の違いはその面積および形状の変化に起因することが示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  白金 ,  *酸化ニッケル ,  フィラメント ,  原子間力顕微鏡 ,  *不揮発性メモリ ,  電気抵抗率 ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  スイッチング ,  反応性スパッタリング ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 抵抗変化型メモリ ,  C-AFM ,  酸化物薄膜 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗変化型メモリ ,  Pt ,  フィラメント ,  形成領域 ,  評価