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J-GLOBAL ID：201302245121815980   整理番号：13A0063163

溶融InGaSb粘性率の温度および組成依存性

著者 (9件)： 向井碧 (エイ・イー・エス) ,  宮田浩旭 (エイ・イー・エス) ,  冨岡浩 (エイ・イー・エス) ,  太田昌也 (エイ・イー・エス) ,  阪田薫穂 (宇宙航空研究開発機構) ,  稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構) ,  勝田真登 (宇宙航空研究開発機構) ,  村上敬司 (宇宙航空研究開発機構) ,  早川泰弘 (静岡大 電子工研)
資料名： 材料とプロセス(CD-ROM)  (Current Advances in Materials and Processes (CD-ROM))
巻： 25  号： 2  ページ： ROMBUNNO.57  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： X0994B  ISSN： 1882-8922  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *溶融金属 ,  *粘度 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  アンチモン合金 ,  インジウム添加合金 ,  ガリウム添加合金 ,  アンチモン化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  宇宙ステーション ,  微小重力 ,  混晶半導体 ,  結晶成長 ,  密度 ,  活性化エネルギー ,  融点 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *粘性率 ,  国際宇宙ステーション

分類 (2件)： その他の物理的・機械的性質  (WB02040F) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶融 ,  InGaSb ,  粘性率 ,  組成依存性