特許

J-GLOBAL ID：201303054115537785

基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法

発明者： 日浦 英文 ,  塚越 一仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010064319
公開番号（公開出願番号）：WO2011-021715
出願日： 2010年08月18日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

本発明の課題は、高品質で大面積のグラフェン基板から作製され、グラフェンが本来持つ優れた電子物性を十分に発揮させた半導体装置で、高速化、低消費電力化、高集積化ができて、信頼性や生産性を向上させることができる半導体装置を提供することにある。本発明では基板1と酸化物層2の界面にグラフェン成長用の金属触媒層を化合物・合金化層5として吸収することで、グラフェン層4が金属触媒層と電気的に短絡することを防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体または金属層上に、金属触媒を用いる化学気相成長により形成されるグラフェン層と、前記金属触媒を拡散させるための酸化物層と、前記金属触媒と前記半導体または金属層との化合または合金化により形成される化合物または合金化層が積層されている、基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/26

FI (5件)：

H01L21/205 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  C23C16/26

Fターム (38件)：

4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030FA17 ,  4K030KA22 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD14 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE30 ,  5F110EE41 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28