特許
J-GLOBAL ID：201403027704812079

有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子および有機薄膜太陽電池素子

発明者：
田島 右副

田島 右副 について

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青山 哲也

青山 哲也 について

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高久 英明

高久 英明 について

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折井 孝彰

折井 孝彰 について

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今井 登

今井 登 について

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加瀬 究

加瀬 究 について

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早川 晴美

早川 晴美 について


出願人/特許権者：
独立行政法人理化学研究所

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代理人 (1件)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-202106
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057011
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】p-i-n接合構造を有する有機半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型有機半導体層6とp型有機半導体層4との間に位置し、n型の有機半導体とp型有機半導体との混成層であるi層5を形成する工程において、前記n型の有機半導体および前記p型の有機半導体の少なくとも一方を有機半導体コロイド分散液の噴霧塗布によって供給する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p-i-n接合構造を有する有機半導体素子の製造方法であって、 n型有機半導体層とp型有機半導体層との間に位置し、n型の有機半導体とp型の有機半導体との混成層であるi層を形成する工程を含み、 i層を形成する上記工程において、上記n型の有機半導体およびp型の有機半導体の少なくとも一方を有機半導体コロイド分散液の噴霧塗布によって供給することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/368 ,  H01L 51/42
FI (2件)：
H01L21/368 L ,  H01L31/04 D
Fターム (18件)：
5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053HH10 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL04 ,  5F053LL05 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151DA04 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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