特許
J-GLOBAL ID：200903097742806650

半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法

発明者：
トーマス カグラー

トーマス カグラー について

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クリストファー ニューサム

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デイビット ラッセル

デイビット ラッセル について

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シュンプ リー

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出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-180203
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041495
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 (i)第2半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第1半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第1半導体の粒子を含む懸濁液および第2半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 (ii)第1半導体の隣接粒子を電気的に接続する第2半導体のマトリックス中に第1半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、 第1および第2半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体要素を形成する方法であって、前記方法は、 (i)第2半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第1半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、前記第1半導体の粒子を含む懸濁液および前記第2半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 (ii)前記第1半導体の隣接粒子を電気的に接続する前記第2半導体のマトリックス中に前記第1半導体の粒子を含む前記半導体要素を形成するための前記混合物を凝固させる工程とを含み、 前記第1および第2半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは異なる物質から形成される前記方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/368 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/208 Z ,  H01L21/368 L ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (27件)：
3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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