特許

J-GLOBAL ID：201403097151656268

グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板

発明者： 日浦 英文 ,  塚越 一仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011077879
公開番号（公開出願番号）：WO2012-086387
出願日： 2011年11月25日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

金属層を炭素含有層に接触させ、加熱することで金属層中に炭素含有層中の炭素を溶解させ、冷却することで金属層中の前記炭素を任意の基板表面にグラフェンとして析出させることにより、グラフェン基板を製造する。

請求項（抜粋）：

(a)金属層を炭素含有層に接触させ、前記金属層を加熱することで、前記金属層中に前記炭素含有層中の炭素を溶解させる工程と、 (b)前記金属層を冷却することで、前記金属層に接触させた耐熱材料の表面に前記金属層中の前記炭素をグラフェンとして析出させる工程とを有することを特徴とするグラフェン基板の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

C01B31/02 101Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A

Fターム (24件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA01 ,  4G146BA04 ,  4G146BA08 ,  4G146BA11 ,  4G146BA13 ,  4G146BB06 ,  4G146BB10 ,  4G146BB23 ,  4G146BC13 ,  4G146BC50 ,  4G146CA01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110FF01 ,  5F110HK02