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J-GLOBAL ID：201702234113381811   整理番号：17A0550939

サファイア基板上ZnTe薄膜成長における基板面方位による効果

著者 (5件)： 中須大蔵 (早大 先進理工) ,  小高圭佑 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX金属)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17a-513-11  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *基板 ,  *テルル化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  *結晶方位 ,  *MBE成長 ,  極点図
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (3件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  ZnTe ,  薄膜成長 ,  基板面 ,  方位