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J-GLOBAL ID：202002211553762363   整理番号：20A2238198

ダイヤモンド基板上のMBE成長AlGaN薄膜の質とバンドオフセット

Quality and band offset of AlGaN films on diamond substrate grown by MBE

著者 (7件)： 河野省三 (早稲田大) ,  堀川清貴 (早稲田大 理工) ,  立石哲也 (早稲田大 理工) ,  矢部太一 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (物質・材料研究機構) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PB1-23  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに. n型AlGaNとP型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することでダイヤモンド基板上のAlGaN薄膜成長は注目される。MBE法によるダイヤモンド基板上のn型AlGaN膜成長は報告例がない。 本研究では、...【本文一部表示】

シソーラス用語： 電圧 ,  *薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  ケイ素 ,  窒素 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  サファイア ,  窒化アルミニウム ,  *MBE成長 ,  蒸着 ,  RHEED ,  超薄膜 ,  *バンドオフセット
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド基板 ,  MBE成長 ,  AlGaN ,  薄膜 ,  質 ,  バンドオフセット