層状半導体Bi2-xSnxTe3のバンド端構造のトンネル分光

文献

J-GLOBAL ID：200902153920010191 整理番号：98A0167093

層状半導体Bi_2-xSn_xTe₃のバンド端構造のトンネル分光

Tunneling Spectroscopy of Bandedges in Layered Semiconductor Bi2-xSnxTe3.

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資料名：
巻： 1997 号：第2分冊ページ： 163 発行年： 1997年09月
JST資料番号： S0872B 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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