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文献
J-GLOBAL ID:201402229682499728   整理番号:14A0161057

エピタキシャルSmCo5合金薄膜の作製とCoサイトのNi原子による置換

Preparation of SmCo5 Alloy Epitaxial Thin Films and Replacement of Co Site with Ni Atom
著者 (8件):
資料名:
巻: 113  号: 345(MR2013 26-34)  ページ: 21-26  発行年: 2013年12月05日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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SmCo5-xNix(x=0,1,4,5)合金薄膜を100から500°Cの基板温度でbcc-Cr(100)およびfcc-Cu(111)下地層上に形成し,膜成長過程と構造特性を反射高速電子回折およびX線回折により調べた。いずれの下地層上においても,Ni/Co組成および基板温度の増加に伴い,RT5型規則構造(R:希土類金属,T:遷移金属)を持つエピタキシャル結晶の形成が促進された。Cr下地層上にエピタキシャル成長した膜は,c軸が面内に存在し,それらが互いに直交したRT5(1120)双結晶から,Cu下地層上に成長した膜は,c軸が面直に向いたRT5(0001)双結晶から構成された。Ni/Co組成および基板温度の増加に伴い,長距離規則度が増加した。基板温度500°CでCr下地層上に形成したSmCo5,SmCo4Ni,SmCoNi4,SmNi5膜の規則度は,それぞれ,0.60,0.68,0.83,0.89であり,Cu下地層上では,0.77,0.82,0.89,0.97であった。RT5型構造のCoサイトをNi原子で置換することにより,規則相形成が促進されることが明らかになった。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電子・磁気・光学記録  ,  磁性材料 

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