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J-GLOBAL ID：201402298219240458   整理番号：14A0901380

L1₀型規則構造を持つFePt,FePd,および,CoPt合金薄膜のc軸方位の精密制御

Accurate Control of c-Axis Orientation of FePt, FePd, and CoPt Alloy Thin Films with L1₀ Ordered Structure

著者 (5件)： 大竹充 (中央大 理工) ,  板橋明 (中央大 理工) ,  二本正昭 (中央大 理工) ,  桐野文良 (東京藝術大 大学院美術研究科) ,  稲葉信幸 (山形大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 77(MR2014 1-7)  ページ： 7-12  発行年： 2014年06月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： (001)配向の多結晶下地層の結晶粒,もしくは,(001)単結晶基板上にL1₀構造を持つ膜を形成する場合,膜中にc軸が面直に向いた(001)結晶に加え,面内に存在する(100)結晶が混在する可能性がある。本研究では,MgO(001)単結晶基板上において,FePt,FePd,および,CoPt合金膜を形成した。そして,基板上に200°Cの低基板温度で膜形成を行った不規則構造を持つ磁性膜上に薄いMgOキャップ層を設け,その試料を600°Cで熱処理することにより,c軸方位を膜面垂直方向へ精密に制御した。MgO基板だけでなくMgOキャップ層に対する格子ミスマッチにより,効果的に磁性膜の面内方向に引っ張り応力を働かせた。その結果,面直一方向への相変態が生じた。また,キャップ層の導入は,規則度も向上させた。キャップ層無しおよび有りの10nm厚のFePt,FePd,CoPt膜の規則度(S_w/o,S_w/)は,それぞれ,(0.6,0.8),(0.6,0.7),(0.3,0.4)であった。キャップ層有りの10nm厚のFePt膜は,L1₀(100)結晶を含まなく,高い規則度を持つため,強い垂直磁気異方性と非常に小さな面内磁化曲線の保磁力を示した。(著者抄録)

シソーラス用語： 結晶方位 ,  相変態 ,  配向 ,  *一軸磁気異方性 ,  MRAM ,  *記憶媒体 ,  磁性材料
準シソーラス用語： 結晶配向 ,  c軸配向 ,  磁気抵抗メモリ ,  *磁気記録媒体

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (12件)：

• O. A. Ivanov, L. V. Solina, V. A. Demshina, and L. M. Magat, Fiz. Metal. Metalloved., vol. 35, pp. 81-85, 1973.
• Y. S. Shur, L. M. Magat, G. V. Ivanova, A. I. Mitsek, A. S. Yermolenko, and O. A. Ivanov, Fiz. Met. Metalloved., vol. 26, no. 2, pp. 241-249, Aug. 1968.
• A. Ye. Yermakov and V. V. Maykov, Phys. Met. Metall., vol. 69, no. 5, pp. 198-201, 1990.
• K. Sato, B. Bian, and Y. Hirotsu, J. Appl. Phys., vol. 91, no. 10, pp. 8516-8518, May 2002.
• Y. K. Takahashi, K. Hono, T. Shima, and K. Takanashi, J. Magn. Magn. Mater., vol. 267, no. 2, pp. 248-255, Dec. 2003.

タイトルに関連する用語 (3件)： 合金薄膜 ,  軸方位 ,  精密制御