抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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L1
0構造を持つエピタキシャルFePt,FePd単層膜,FePt/FePd二層膜および多層膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によりMgO(001)単結晶基板上に形成し,磁化容易軸であるc軸の膜面垂直方向への制御を試みた。単層膜において,MgO(001)基板上に形成したFePd膜は層厚が40nm以下の場合,c軸が面直に向いたL1
0(001)単結晶膜であるのに対し,FePt膜では,層厚が2.5nmより厚くなるとL1
0(001)結晶に加え,c軸が面内を向いたL1
0(100)結晶やL1
0(010)結晶が混在した。二層膜や多層膜において,総膜厚を10nmとした場合,積層順に関わらず,一層あたりのFePt層厚が2.5nm以下ではL1
0(001)結晶のみから構成される膜が形成されたのに対し,FePt層厚を厚くするとL1
0(100)結晶やL1
0(010)結晶が混在する傾向が見られた。また,総膜厚を40nmとした場合,FePt層厚が2.5nm以下であっても,L1
0(001)結晶に加えて,L1
0(100)結晶やL1
0(010)結晶が混在することが分かった。(著者抄録)