抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
L1
0構造を持つFePt薄膜を高密度記録媒体などのデバイスに応用するためには,膜表面平坦性を制御する必要がある。しかしながら高基板温度で製膜を行った場合,表面起伏の大きな膜が形成されてしまう。膜の平坦性には表面エネルギーが関係しているため,平坦膜を形成するために下地層として表面エネルギーの大きな材料を用いることが有効である。本研究では,SrTiO
3(001)単結晶基板上に類似の結晶構造と格子定数を持つMgO,VC,VNを2nm厚の下地層として形成し,その上に10nm厚のFePt膜を600°Cの基板温度で形成した。そして,下地層材料がFePt膜の構造に与える影響について調べた。その結果表面エネルギーの大きいこれらの下地層はSrTiO
3基板結晶上でエピタキシャル成長し,その上に形成したFePt膜はL1
0(001),(100),(010)の3種類のバリアントから成るエピタキシャル膜として成長した。FePt膜の表面起伏(R
a)は4.5nm(MgO)>1.3nm(VC)>0.3nm(VN)となり,MgOよりも表面エネルギーが大きなVCおよびVN下地層を用いることによって,表面平坦性に優れたFePt膜が得られることが明らかになった。(著者抄録)