Art

J-GLOBAL ID：200902000005648752   Reference number：89A0160762

Ar incorporation in epitaxial TiN films deposited by reactive magnetron sputtering in mixed Ar/N₂ discharges.

混合Ar/N₂放電での反応性マグネトロンスパッタリング法で蒸着したエピタキシャルTiN膜へのArの混入

Author (5)： HULTMAN L (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JOHANSSON B-O (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SUNDGREN J-E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MARKERT L C (Univ. Illinois, IL, USA) ,  GREENE J E (Univ. Illinois, IL, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 53  Issue： 13  Page： 1175-1177  Publication year： Sep. 26, 1988 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： sputtered deposition ,...
Semi thesaurus term： TEM

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Lattice defects in other inorganic compounds  (BK12050B)

Terms in the title (8)： Ar ,  N2 ,  放電 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  エピタキシャル ,  TiN膜 ,  混入