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J-GLOBAL ID：200902001861176914   Reference number：92A0283772

Highly Reliable 2.5nm Ta₂O₅ Capacitor Process Technology for 256Mbit DRAMs.

256MビットDRAM用高信頼度2.5nm Ta₂O₅キャパシタのプロセス技術

Author (4)： KAMIYAMA S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAEKI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MORI H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  NUMASAWA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1991  Page： 827-830  Publication year： 1991 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： condenser(capacitor) ,...
Semi thesaurus term： Time-Dependent Dielectric Breakdown ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： ビット ,  DRAM ,  信頼度 ,  Ta2O5 ,  キャパシタ ,  プロセス