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J-GLOBAL ID：200902001912449066   Reference number：81A0427102

Plasma-assisted deposition and epitaxy of GaAs films.

GaAs膜のプラズマ助成蒸着とエピタキシー

Author (5)： HARIU T (Tohoku Univ.) ,  TAKENAKA K (Tohoku Univ.) ,  SHIBUYA S (Tohoku Univ.) ,  KOMATSU Y (Tohoku Univ.) ,  SHIBATA Y (Tohoku Univ.)
Material： Thin Solid Films
Volume： 80  Issue： 1/3  Page： 235-239  Publication year： Jun. 19, 1981 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： plasma deposition

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： GaAs ,  プラズマ ,  助成 ,  蒸着 ,  エピタキシー