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J-GLOBAL ID：200902002011245620   Reference number：87A0322138

Vacancy recovery after 20K electron irradiation in Sn and Te doped bismuth.

Sn及びTeドープしたビスマスにおける20K電子照射後の空孔回復

Author (4)： CORBEL C (CEN-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  BOIS P (CEN-FAR, Fontenay aux Roses, FRA) ,  MOSER P (CEN-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LEMAHIEU P (State Univ., Gent, BEL)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 15/18  Issue： Pt 2  Page： 721-726  Publication year： 1987 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： bismuth ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes of metals  (BK16122N) ,  Lattice defects in metals  (BK12030F)

Terms in the title (7)： Sn ,  Te ,  ドープ ,  ビスマス ,  電子照射 ,  空孔 ,  回復