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J-GLOBAL ID：200902002018140203   Reference number：92A0387375

Molecular-beam epitaxial growth and characterization of erbium-doped GaAs and AlGaAs.

エルビウムをドープしたGaAsとAlGaAsの分子線エピタキシー成長と特性評価

Author (8)： EVANS K R (Wright Lab., Ohio) ,  TAYLOR E N (Wright Lab., Ohio) ,  STUTZ C E (Wright Lab., Ohio) ,  ELSAESSER D W (Air Force Inst. Technology(AFIT), Ohio) ,  COLON J E (Air Force Inst. Technology(AFIT), Ohio) ,  YEO Y K (Air Force Inst. Technology(AFIT), Ohio) ,  HENGEHOLD R L (Air Force Inst. Technology(AFIT), Ohio) ,  SOLOMON J S (Univ. Dayton Research Inst., Ohio)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 10  Issue： 2  Page： 870-872  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： エルビウム ,  ドープ ,  GaAs ,  AlGaAs ,  分子線エピタキシー成長 ,  特性評価