Art

J-GLOBAL ID：200902015515261566   Reference number：90A0132123

Single crystalline CoSi₂ layers formed by Co implantation into Si.

SiへのCo打込みで形成される単結晶性CoSi₂層

Author (4)： VAN OMMEN A H (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  OTTENHEIM J J M (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  BULLE-LIEUWMA C W T (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  THEUNISSEN A M L (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 38  Issue： 1/4  Page： 197-206  Publication year： Sep. 1989 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion implantation ,...
Semi thesaurus term： buried layer

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JST classification (2)： Irradiational changes of other materials  (BK16124V) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

Terms in the title (4)： Si ,  CO ,  打込み ,  単結晶性