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J-GLOBAL ID：200902015569335549   Reference number：92A0423138

MBE Growth under Surface Stoichiometry Control Using Secondary Electron. (I). NiAl on GaAs.

二次電子を用いた被覆率制御によるMBE成長 (I) 相図作成とNiAl on GaAsへの応用

Author (4)： INOUE NAOHISA (NTT LSI研) ,  OSAKA JIRO (NTT LSI研) ,  HIRONO SHIGERU (NTT LSI研) ,  KANISAWA KIYOSHI (NTT LSI研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 39th  Issue： Pt 1  Page： 207  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： 二次電子 ,  被覆率 ,  MBE成長 ,  相図 ,  GaAs ,  応用