Rchr
J-GLOBAL ID:200901011502598597   Update date: Aug. 27, 2020

Inoue Naohisa

イノウエ ナオヒサ | Inoue Naohisa
Affiliation and department:
Research field  (4): Electronic devices and equipment ,  Crystal engineering ,  Applied materials ,  Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords  (6): 半導体物性 ,  量子効果デバイス ,  結晶成長 ,  Semiconductor ,  Quantum Mechanical Effect Device ,  Crystal Growth
Research theme for competitive and other funds  (6):
  • 半導体材料に関する研究
  • 量子効果デバイスの製造プロセスに関する研究
  • 分子線成長機構に関する研究
  • Study on Semiconductor Materials
  • Study on Fabrication Process of Quantum Mechanical Effect Devices
Show all
MISC (229):
more...
Books (2):
  • 「結晶成長ハンドブック-第7編3.3.3電子線、第8編4.2電子顕微鏡によるMBE成長表面観察」
    結晶成長ハンドブック 共立出版 1995
  • In-situ Scanning Electron Microscopy of GaAs Molecular Beam Epitaxy
    1995
Works (2):
  • 成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション
    1997 - 2000
  • シリコン中結晶欠陥の挙動解析に関する研究
    2000 -
Education (4):
  • - 1973 The University of Tokyo
  • - 1973 The University of Tokyo
  • - 1968 The University of Tokyo
  • - 1968 The University of Tokyo
Professional career (1):
  • (BLANK)
Committee career (3):
  • 1996 - 表面科学会 評議員,関西支部役員
  • 1986 - 1994 日本結晶学会 編集委員
  • 1980 - 1985 応用物理学会 関西支部評議員,薄網表面分科会幹事,結晶工学分科会幹事,シリコンテクノロジー
Association Membership(s) (5):
日本結晶学会 ,  表面科学会 ,  日本物理学会 ,  結晶成長学会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page