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J-GLOBAL ID：200902015726883334   Reference number：92A0315598

A high resolution electron energy loss spectroscopy study of trimethylgallium decomposition on gallium rich GaAs(100).

ガリウムリッチGaAs(100)上におけるトリメチルガリウム分解の高分解能電子エネルギー損失分光研究

Author (3)： ZHU X-Y (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  WHITE J M (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  CREIGHTON J R (Sandia National Lab., New Mexico)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 10  Issue： 2  Page： 316-320  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： surface reaction ,...
Semi thesaurus term： TPD

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Terms in the title (5)： ガリウム ,  GaAs ,  トリメチルガリウム ,  分解 ,  研究