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J-GLOBAL ID：200902051226361702   Reference number：83A0270780

0.15μm Channel-length MOSFET’s fabricated using E-beam lithography.

電子ビームリソグラフィーを用いて製作した0.15μmチャネル長のMOSFET

Author (5)： FICHTNER W (Bell Lab., NJ) ,  WATTS R K (Bell Lab., NJ) ,  FRASER D B (Bell Lab., NJ) ,  JOHNSTON R L (Bell Lab., NJ) ,  SZE S M (Bell Lab., NJ)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 3  Issue： 12  Page： 412-414  Publication year： Dec. 1982 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 電子ビームリソグラフィー ,  製作 ,  チャネル長 ,  MOSFET