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J-GLOBAL ID：200902165102592256   Reference number：98A0481147

Double-island single-electron device employing T-shaped Si wire structures.

T字型シリコン細線を用いた連結島単電子デバイス

Author (7)： FUJIWARA AKIRA (NTT 基礎研) ,  TAKAHASHI YASUO (NTT 基礎研) ,  YAMAZAKI KENJI (NTT 基礎研) ,  NAMATSU HIDEO (NTT 基礎研) ,  NAGASE MASAO (NTT 基礎研) ,  KURIHARA KENJI (NTT 基礎研) ,  MURASE KATSUMI (NTT 基礎研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 45th  Issue： 1  Page： 188  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： T字型 ,  シリコン ,  細線 ,  単電子デバイス