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J-GLOBAL ID：200902212399911272   Reference number：08A0420285

InGaN/GaN multi-quantum well and LED growth on wafer-bonded sapphire-on-polycrystalline AlN substrates by metalorganic chemical vapor deposition

金属有機物化学蒸着によるウェハ接合したサファイア基板上の多結晶性AlN上におけるInGaN/GaN多重量子井戸とLED成長

Author (12)： PINNINGTON T. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  KOLESKE D.d. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  ZAHLER J.m. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  LADOUS C. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  PARK Y.-b. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  CRAWFORD M.h. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  BANAS M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  THALER G. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  RUSSELL M.j. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, USA) ,  OLSON S.m. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  ATWATER Harry A. (Aonex Technologies Inc.,129 N. Hill Ave., Suite 108, Pasadena, CA 91106, USA) ,  ATWATER Harry A. (T.J. Watson Laboratories of Applied Physics, California Inst. of Technol., Pasadena, CA 91106, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 310  Issue： 10  Page： 2514-2519  Publication year： May. 01, 2008 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,  *lamination(process) ,  *wafer ,  polycrystal ,  aluminum nitride ,  substrate(plate) ,  sapphire ,  *gallium nitride ,  *nitride ,  indium compound ,  gallium compound ,  heterojunction ,  *multiple quantum well ,  *light emitting diode

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (11)： 有機物 ,  化学蒸着 ,  ウェハ ,  サファイア基板 ,  多結晶 ,  AlN ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  LED ,  成長