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J-GLOBAL ID：200902212512972259   Reference number：03A0184183

Time-Dependent Drain- and Source-Series Resistance of High-Voltage Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors during Hot-Carrier Stress.

ホットキャリアストレス中,高電圧の横方向拡散した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの時間依存ドレイン及びソース直列抵抗

Author (9)： CHEN S-H (National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN) ,  GONG J (National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN) ,  WU M-C (National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN) ,  HUANG T-Y (National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN) ,  HUANG J-F (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LIOU R-H (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HSU S-L (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LEE L-L (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LEE H-C (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 2A  Page： 409-413  Publication year： Feb. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (23)：

• 1) R. Versari and A. Pieracci: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 1228.
• 2) R. Versari, A. Pieracci, S. Manzini, C. Contiero and B. Ricco: Proc. IEEE IEDM, 1997, p. 371.
• 3) S. Manzini, A. Gallerano and C. Contiero: Proc. IEEE ISPSD, 1998, p. 415.
• 4) V. O’Donovan, S. Whiston, A. Deignan and C. N. Chleirigh: Proc. IEEE IRPS, 2000, p. 174.
• 5) D. Brisbin, A. Strachan and P. Chaparala: Proc. IEEE IRPS, 2002, p. 105.

Terms in the title (9)： 高電圧 ,  横方向 ,  拡散 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  時間依存 ,  ドレイン ,  ソース ,  直列抵抗