Rchr
J-GLOBAL ID:200901088960178800
Update date: Sep. 27, 2022
Sugawara Katsuro
スガワラ カツロウ | Sugawara Katsuro
Affiliation and department:
Homepage URL (1):
http://cs.ce.nihon-u.ac.jp/~sugawara/
Research field (4):
Chemical reaction and process system engineering
, Electric/electronic material engineering
, Crystal engineering
, Applied materials
Research keywords (6):
単結晶成長技術
, 薄膜技術
, VLSIプロセス工学
, Technology of Single Crystal Growth
, Thin Film Technology
, VLSI Process Engineering
Research theme for competitive and other funds (6):
MISC (163):
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Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties. Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. 2002. 200-209
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Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties. Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments. 2002. 200-209
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Si引上単結晶酸素濃度分布のシミュレーション -半径方向酸素濃度分布の均一化-(共著). 日本大学工学部紀要. 2002. 44(1), 139-150
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半導体単結晶結合状態の可視化(共著). 応用物理教育. 2002. 26(1), 25-28
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Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing to Obtain Uniform Film Properties. 201st Electochem. Soc. Philadelphia Meeting Extended Abstracts. 2002. 550
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Books (25):
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電気化学便覧(改訂5版)
17・1シリコンと半導体デバイス(丸善) 2000
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化学工学便覧(改訂6版)21 薄膜・微粒子生成反応 21・1薄膜・気相の実例 21・1・2気相薄膜合成装置と反応条件(共著)
丸善 1999
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Si ULSI用薄膜の最新トピックスと反応器シミュレーションのためのWSix反応機構解析
化学工学会CVD工学基礎プロジェクト(III)研究会初年度報告書 1997
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Reaction Chemistry of InGaAsP MOCVD Studied with FT-IR Gas Monitoring and Numerical Analysis on Growth Kinetics.
"Chemical Vapor Deposition-Proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11 1997
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Finite Element Analysis of the Radadial Phosphorus Dopant Distribution in Si Czochralski-grown Single Crystals.
Proceedings of the Symposium on "Crystalline Defects and Contamination : Their Impact and Control in Device Manufacturing II" 1997
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Works (44):
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化学工学会CVD特別研究会2年度報告書.「ULSI用薄膜を中心とした評価技術」シンポジウムを計画して-化学工学会CVD特別研究会・ECS日本支部ミニシンポジウム「ULSI用薄膜を中心とした評価技術」-(共著)
1999 -
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化学工学会CVD工学基礎プロジェクト(III)研究会初年度報告書 Si ULSI用薄膜の最新トピックスと反応器シミュレーションのためのWSix反応機構解析
1997 -
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Advanced Topics on Si ULSI Thin Film and WSix Reaction Mechanism Analysis Used for CVD Reactor Simulation. (訳)
1997 -
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化学工学会CVD特別研究会3年度報告書 化学工学会第28回秋季大会シンポジウムでの発表内容
1996 -
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化学工学会CVD特別研究会3年度報告書:薄膜生成のシミュレーション-計算物理・計算化学を用いたシミュレーションのULSIへの応用-
1996 -
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Education (2):
- - 1957 The University of Tokyo Faculty of Science Department of Chemistry
- - 1957 The University of Tokyo Faculty of Science
Professional career (1):
- Doctor of Science (The University of Tokyo)
Work history (10):
- 1993 - 2001 Nihon University Department of Computer Science, College of Engineering
- 1993 - 2001 Nihon University, College of Engineering, Professor
- 1989 - 1992 日立超LSIエンジニアリング株式会社取締役・技師長
- 1989 - 1992 Hitachi ULSI Engineering, Corp., Board Director & Senior Chief Engineer
- 1982 - 1988 Hitachi, Ltd.,
- 1982 - 1988 Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Chief Engineer
- 1977 - 1981 Hitachi, Ltd.,
- 1977 - 1981 Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Department Manager
- 1969 - 1976 Hitachi, Ltd.,
- 1969 - 1976 Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Senior Engineer
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Committee career (2):
- 1995 - 1996 米国ECS(ELECTROCHEMICAL SOCIETY) ECS日本支部支部長
- 応用物理学会 東北支部評議員
Awards (3):
- 1989 - 東京都科学技術功労者表彰
- 1983 - 発明協会関東地方発明表彰発明奬励賞
- 1977 - 発明協会関東地方発明表彰発明奨励賞
Association Membership(s) (6):
情報処理学会
, 米国ECS(ELECTROCHEMICAL SOCIETY)
, 化学工学会
, 電子情報通信学会
, 日本化学会
, 応用物理学会
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