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J-GLOBAL ID:200901092432359514   Update date: Nov. 01, 2021

Furukawa Akio

フルカワ アキオ | Furukawa Akio
Research field  (1): Electric/electronic material engineering
Research keywords  (1): Semiconductor material, electrical material, device
Research theme for competitive and other funds  (2):
  • 2005 - 2007 半導体デバイス
  • 2005 - 2007 Semiconductor Device
Papers (9):
MISC (15):
Patents (1):
  • SiGe積層薄膜それを用いた赤外線センサ
Lectures and oral presentations  (63):
  • 圧電高分子とIGZOを使用したFETの静特性評価
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • Ge/Siポテンシャル障壁構造をもつボロメータ素子における障壁層の抵抗率とTCRの関係
    (第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020)
  • P(VDF-TrFE)膜とZnO半導体を用いた接触センサーの圧力によるチャネル電流値変化
    (第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020)
  • 圧電高分子P(VDF-TrFE)膜及びFET適用での圧電性評価
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • 高分子圧電体膜P(VDF VDF-TrFE) をゲート絶縁膜に用いた一体型 FET におけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化
    (電子情報通信学会 電子部品・材料研究会 2019)
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Education (3):
  • The University of Tokyo Graduate School, Division of Science
  • The University of Tokyo Graduate School, Division of Science
  • The University of Tokyo Faculty of Science
Professional career (1):
  • Doctor of Philosophy in Science (The University of Tokyo)
Awards (1):
  • 2015/10/01 - 優秀ポスター賞
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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