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J-GLOBAL ID：201202232734343507   Reference number：12A0094954

Thickness Dependences of Resistivity and Temperature Coefficient of Resistance for Ge Thin Films Sandwiched between Si Layers for Uncooled Infrared Imaging Sensor

非冷却赤外イメージセンサ用のSi層間に挟んだGe薄膜に対する抵抗及び抵抗の温度係数の厚み依存性

Author (7)： YAMAKI Kazuhiro (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  TAI Takashi (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  KINOSHITA Junichi (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  SEKINO Shoji (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Shin (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YOSHITAKE Tsutomu (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  FURUKAWA Akio (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 12  Page： 125801.1-125801.4  Publication year： Dec. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *image sensor ,  infrared image ,  magnetron sputtering ,  thin film growth ,  *semiconductor thin film ,  silicon ,  germanium ,  *electrical resistivity ,  electrical conductivity ,  annealing(heat treatment) ,  temperature coefficient ,  dependence ,  bolometer
Semi thesaurus term： temperature coefficient of resistance ,  film thickness dependence

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (15)：

• 1) F. Niklaus, C. Vieider, and H. Jakobsen: Proc. SPIE 6836 (2007) 68360D.
• 2) N. Oda, H. Yoneyama, T. Sasaki, M. Sano, S. Kurashina, I. Hosako, N. Sekine, T. Sudoh, and T. Irie: Proc. SPIE 6940 (2008) 69402Y.
• 3) F. L. Richards: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1.
• 4) V. Y. Zerov and V. G. Malyarov: J. Opt. Technol. 68 (2001) 939.
• 5) P. H. Handel: Phys. Rev. A 22 (1980) 745.

Terms in the title (7)： 赤外 ,  イメージセンサ ,  Si層 ,  Ge ,  薄膜 ,  抵抗の温度係数 ,  厚み依存性