Art

J-GLOBAL ID：201702224452734818   Reference number：17A0214235

Consideration of BTI variability and product level reliability to expedite advanced FinFET process development

先進FinFETプロセス開発を促進するためのB TI変動性と製品レベルの信頼性に関する一考察【Powered by NICT】

Author (6)： Lee Y.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan) ,  Lee J H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan) ,  Wang Y.F. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan) ,  Hsieh R. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan) ,  Tsai Y.S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan) ,  Huang K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： IEDM  Page： 15.2.1-15.2.4  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： In this study, the variability...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0214235&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： noise margin ,  recovery rate ,  fin(machine element) ,  drift(migration) ,  SRAM ,  incommensurability ,  high temperature ,  *process development
Semi thesaurus term： プロセス最適化 ,  バーンイン ,  正バイアス温度不安定性 ,  NBTI ,  バイアス温度不安定性 ,  システムオンチップ ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： FinFET ,  プロセス ,  開発 ,  促進 ,  Ti ,  変動性