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J-GLOBAL ID：201702225502548389   Reference number：17A0550945

多接合太陽電池に向けたSi基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の結晶成長

Author (8)： SATO KENTO (豊橋技科大 大学院) ,  YAMANE KEISUKE (豊橋技科大 大学院) ,  GOTO MASAYA (豊橋技科大 大学院) ,  TAKAHASHI KENJIRO (豊橋技科大 大学院) ,  SEKIGUCHI HIROTO (豊橋技科大 大学院) ,  OKADA HIROSHI (豊橋技科大 大学院) ,  OKADA HIROSHI (豊橋技科大 EIIRIS) ,  WAKAHARA AKIHIRO (豊橋技科大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17a-B5-1  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： gallium compound ,  arsenide ,  phosphide ,  gallium nitride ,  *compound semiconductor ,  *solar cell ,  device structure ,  *chemical composition ,  wafer ,  *RHEED ,  X-ray diffraction
Semi thesaurus term： GaAsP ,  GAN ,  III-V compound semiconductor ,  *multi-connection type compound semiconductor solar battery ,  p-i-n device structure ,  silicon substrate

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (4)： 多接合太陽電池 ,  Si基板 ,  格子整合 ,  結晶成長