PLD法による正方晶(Bi,K)TiO<sub>3</sub>エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性特性に与える影響

NEMOTO YUICHI; ICHINOSE DAICHI; SHIMIZU TAKAO; UCHIDA HIROSHI; KIGUCHI TAKANORI; SATO YUSUKE; YAMAOKA WAKIKO; FUNAKUBO HIROSHI; FUNAKUBO HIROSHI

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J-GLOBAL ID：201702246613659698 Reference number：17A0232226

PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性特性に与える影響

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Material：
Volume： 55th Page： 17 Publication year： Jan. 12, 2017
JST Material Number： L1357A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Oxide thin films , Properties of ceramics and ceramic whiteware

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PLD法による正方晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性特性に与える影響

PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性特性に与える影響