Art

J-GLOBAL ID：201702255000665625   Reference number：17A0033225

Si(111)上にエピタキシャル成長した等価ドメインをもつβ-FeSi₂薄膜の多重イオン散乱解析

Author (6)： FUCHI MASAYA (九州工大 大学院) ,  ARIMA MIKIHIRO (九州工大 大学院) ,  TERAI YOSHIKAZU (九州工大 大学院) ,  NARUMI KAZUMASA (量技研機構) ,  MAEDA YOSHIHITO (九州工大 大学院) ,  MAEDA YOSHIHITO (量技研機構)
Material： 真空に関する連合講演会講演予稿集
Volume： 57th  Page： 67  Publication year： Nov. 29, 2016 
JST Material Number： L1308A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  *silicide ,  iron compound ,  epitaxy ,  wafer ,  *MBE growth ,  *ion scattering ,  ion channeling ,  stacking fault
Semi thesaurus term： iron silicide ,  epitaxial growth ,  silicon substrate

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (8)： Si ,  エピタキシャル成長 ,  等価 ,  ドメイン ,  薄膜 ,  多重 ,  イオン散乱 ,  解析