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J-GLOBAL ID：201702255146215327   Reference number：17A0550570

Er:O共注入Si MOSFETのフォトルミネッセンスおよび光励起電流計測

Author (10)： ABDELGHAFAR Ayman (早稲田大 理工) ,  YANO MAASA (早稲田大 理工) ,  CHIBA YUKI (早稲田大 理工) ,  PRATI Enrico (イタリアCNR) ,  CELEBRANO Michele (ミラノ工科大) ,  GHIRARDINI Lavinia (ミラノ工科大) ,  FINAZZI Marco (ミラノ工科大) ,  FERRARI Giorgio (ミラノ工科大) ,  SHINADA TAKAHIRO (東北大 CIES) ,  TANII TAKASHI (早稲田大 理工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-P7-2  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： injection (pour) ,  Erbium ,  Oxygen ,  *MOSFET ,  *photoluminescence ,  photocurrent ,  impurity level ,  crystalline field
Semi thesaurus term： co-implantation ,  *photoluminescence ,  photocurrent

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (7)： Er ,  共注入 ,  Si ,  MOSFET ,  フォトルミネッセンス ,  光励起電流 ,  計測