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J-GLOBAL ID：201702256671300543   Reference number：17A0131027

Low Temperature Deposition of Inorganic Thin Films by Ultraviolet Laser-Assisted Chemical Vapor Deposition

紫外レーザーアシスト化学気相成長法による無機薄膜の低温堆積

Author (7)： KUK Seungkuk (State Univ. New York, NY, USA) ,  PARK Jongmin (State Univ. New York, NY, USA) ,  ZHANG Tao (State Univ. New York, NY, USA) ,  LEE Ho-Nyun (Korea Inst. of Industrial Technol., Incheon, KOR) ,  CHO Kwan Hyun (Korea Inst. of Industrial Technol., Ansan, KOR) ,  KANG Kyung Tae (Korea Inst. of Industrial Technol., Ansan, KOR) ,  HWANG David J. (State Univ. New York, NY, USA)
Material： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanosci Nanotechnol Lett)
Volume： 8  Issue： 7  Page： 586-591  Publication year： Jul. 2016 
JST Material Number： W2373A  ISSN： 1941-4900  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon nitride ,  excimer laser ,  ammonia ,  silane ,  photolysis/photodisintegration ,  substrate temperature ,  *thin film growth ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  scanning electron microscope ,  nano particle ,  rate of sedimentation ,  crystal growth ,  ultraviolet laser ,  *chemical vapor deposition ,  laser irradiation
Semi thesaurus term： SEM (microscope) ,  low temperature growth ,  *CVD ,  chemical vapor deposition

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (6)： 紫外レーザー ,  アシスト ,  化学気相成長法 ,  薄膜 ,  低温 ,  堆積