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J-GLOBAL ID：201702256825394615   Reference number：17A0549985

界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価

Author (2)： KOKETSU YUKI (福井大 大学院) ,  SHIOJIMA KENJI (福井大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-P4-5  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Nickel ,  *N-type semiconductor ,  *gallium nitride ,  *metal-semiconductor junction ,  *heterogeneous reaction ,  *electrode ,  *current-voltage characteristic ,  two dimension ,  annealing (heat treatment) ,  rectification (electric) ,  contact ,  Schottky barrier ,  photoemission ,  electron microscopy ,  interface (surface) ,  interfacial reaction ,  Schottky contact ,  scanning internal photoemission microscopy

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： 界面顕微光応答法 ,  Ni ,  GaN ,  界面反応 ,  評価