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J-GLOBAL ID：201702268530658528   Reference number：17A0002406

Synthesis of nitride layer by irradiating a remote nitrogen plasma onto 4H-SiC at a low temperature

低温での4H-SiC上に遠隔窒素プラズマを照射することによる窒化物層の合成

Author (3)： SHIMABAYASHI M. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KURIHARA K. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SASAKI K. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 37th  Page： 143-144  Publication year： 2015 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,  nitrogen ,  plasma ,  *plasma exposure ,  silicon carbide ,  low temperature ,  *synthesis

JST classification (2)： Special machining  (QC04000Y) ,  Chemical thermodynamics of other substances(mixtures)  (CB02034Q)

Terms in the title (4)： 低温 ,  4H-SiC ,  窒素プラズマ ,  窒化物層