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J-GLOBAL ID：201702278340540440   Reference number：17A0420505

Na-Snフラックス法によるNa-Siクラスレート単結晶の作製条件

Author (3)： MORITO HARUHIKO (東北大 金属材料研) ,  YAMANE HISANORI (東北大 多元物質科研) ,  FUJIWARA KOZO (東北大 金属材料研)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 160th  Page： ROMBUNNO.96  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *single crystal ,  *clathrate compound ,  *sodium compound ,  *silicide ,  natrium base alloy ,  tin containing alloy ,  crystal growth ,  flux(melt) ,  sodium ,  evaporation ,  tin ,  *silicon ,  diamond type crystal ,  aliphatic alcohol

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Substance index (2)： 2-Propanol ,  Ethanol

Terms in the title (8)： Na ,  Sn ,  フラックス法 ,  Si ,  クラス ,  レート ,  単結晶 ,  作製条件