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J-GLOBAL ID：201102264753826707   Reference number：11A1180096

Vertical Charge Imbalance Effect on 600V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs

600V級トレンチ充填超接合パワーMOSFETへの垂直電荷不平衡効果

Author (9)： TAMAKI T. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  NAKAZAWA Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  KANAI H. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  ABIKO Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  IKEGAMI Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  ISHIKAWA M. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  WAKIMOTO E. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  YASUDA T. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  EGUCHI S. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 23rd  Page： 308-311  Publication year： 2011 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electric charge ,  longitudinal type ,  *trench cut(processing) ,  *power transistor ,  *MOSFET ,  semiconductor junction ,  *dielectric breakdown ,  on resistance ,  gate(semiconductor) ,  drain(semiconductor) ,  switching element ,  numerical analysis ,  simulation ,  *side wall ,  electric potential distribution ,  field intensity ,  analytical model
Semi thesaurus term： super junction

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： トレンチ ,  超接合 ,  パワーMOSFET ,  垂直 ,  電荷 ,  不平衡