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J-GLOBAL ID：201702231022128216   Reference number：17A0005113

Phase change behaviors of Cr-Ge-Te compound thin film

Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動

Author (4)： HATAYAMA Shogo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SHINDO Satoshi (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SUTOU Yuji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KOIKE Junichi (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science  (PCOS)
Volume： 28th  Page： 71-72  Publication year： 2016 
JST Material Number： L1450A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  *phase transition ,  *semiconductor thin film ,  *chromium compound ,  *germanium compound ,  telluride(chalcogenide) ,  phase change random access memory ,  semiconductor material ,  amorphous state ,  thermal stability ,  chromium ,  doping ,  X-ray diffraction ,  activation energy ,  crystallization
Semi thesaurus term： phase change random access memory ,  phase change material

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solid phase transitions  (BL04020G)

Terms in the title (6)： Cr ,  Ge ,  Te ,  化合物薄膜 ,  相変化 ,  挙動