Art

J-GLOBAL ID：201702249989123151   Reference number：17A0549770

Si/SiO₂/GaN-LED基板を用いたモノリシック型CMOS/LED混載集積回路の作製

Author (9)： NAKAGAWA SHOTA (豊技大 工) ,  TSUCHIYAMA KAZUAKI (豊技大 工) ,  UTSUNOMIYA SHU (豊技大 工) ,  YAMANE KEISUKE (豊技大 工) ,  SEKIGUCHI HIROTO (豊技大 工) ,  OKADA HIROSHI (豊技大 工) ,  OKADA HIROSHI (EIIRIS) ,  WAKAHARA AKIHIRO (豊技大 工) ,  WAKAHARA AKIHIRO (EIIRIS)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16a-503-7  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *light emitting diode ,  *integration(accumulation) ,  *complementary metal oxide semiconductor ,  *wafer ,  inverter
Semi thesaurus term： Monolithic integration ,  silicon substrate ,  inverter

JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： Si ,  SiO2 ,  GaN ,  LED基板 ,  CMOS ,  LED ,  集積回路 ,  作製