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J-GLOBAL ID：201702261974807015   Reference number：17A0002358

Improving high aspect ratio processes for logic applications through gas chemistry and plasma discharge optimization

ガス化学的性質およびプラズマ放電最適化による論理アプリケーション用の高アスペクト比プロセスの改善

Author (6)： ENGELMANN S. U. (IBM Res., NY, USA) ,  BRUCE R. L. (IBM Res., NY, USA) ,  MARCHACK N. (IBM Res., NY, USA) ,  JOSEPH E. A. (IBM Res., NY, USA) ,  SUZUKI T. (Zeon Chemicals L.P., KY, USA) ,  NAKAMURA M. (Zeon Chemicals L.P., KY, USA)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 37th  Page： 45-46  Publication year： 2015 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： aspect ratio ,  logic ,  electric discharge ,  optimization ,  chemical property ,  gas ,  plasma ,  *semiconductor process

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： 化学的性質 ,  プラズマ放電 ,  最適化 ,  論理 ,  アプリケーション ,  高アスペクト比 ,  プロセスの改善