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J-GLOBAL ID：201702283723718910   Reference number：17A0551133

エピタキシャルHfO₂基膜における強誘電相の安定性-RE₂O₃-HfO₂vs ZrO₂-HfO₂-

Author (8)： MIMURA TAKANORI (東京工大) ,  KATAYAMA KIRIHA (東京工大) ,  SHIMIZU TAKAO (東京工大) ,  KIGUCHI TAKANORI (東北大 金属材料研) ,  AKAMA AKIHIRO (東北大 金属材料研) ,  KONNO TOYOHIKO (東北大 金属材料研) ,  SAKATA OSAMI (NIMS) ,  FUNAKUBO HIROSHI (東京工大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17p-304-2  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,  hafnium oxide ,  *ferroelectrics ,  stability ,  zirconium oxide ,  yttrium oxide ,  X-Ray Diffraction ,  *crystal structure
Semi thesaurus term： zirconium dioxide ,  二酸化ハフニウム

JST classification (1)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (4)： エピタキシャル ,  HfO2 ,  安定性 ,  ZrO2