研究者
J-GLOBAL ID：200901005424719765   更新日: 2024年04月24日

須藤 祐司

ストウ ユウジ | Sutou Yuji
所属機関・部署：
東北大学 大学院工学研究科・工学部 知能デバイス材料学専攻 ナノ材料物性学講座 極限材料物性学分野

東北大学 大学院工学研究科・工学部 知能デバイス材料学専攻 ナノ材料物性学講座 極限材料物性学分野 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://www.sutou-lab.jp/
研究分野 (1件)： 無機材料、物性
研究キーワード (4件)： 硬質膜 ,  カルコゲナイド薄膜 ,  材料組成・組織制御 ,  形状記憶合金
競争的資金等の研究課題 (29件)：
  • 2021 - 2026 多形メモリテクノロジーの創成
  • 2021 - 2024 次世代新メモリに向けたディスプレイシブ相転移型多形半導体の開拓
  • 2021 - 2023 半導体-金属相転移を利用したゼロ温度係数高抵抗薄膜の創成
  • 2019 - 2022 アモルファス由来ファンデルワールス層状物質の結晶化機構の解明
  • 2018 - 2021 次世代不揮発性メモリに向けたd電子系相変化カルコゲナイドの開拓
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論文 (311件)：
  • Shunsuke Mori, Yuji SUTOU. Polymorphic transformation from metastable β to stable α phase in MnTe flake. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Shogo Hatayama, Shunsuke Mori, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yi Shuang, Yuji Sutou. Nonvolatile Isomorphic Valence Transition in SmTe Films. ACS Nano. 2024. 18. 4. 2972-2981
  • D. I. Kim, Mizuki Kawaji, Hiroki Sato, Ryota Kawamura, Ryo Tamaki, Satoshi Kusaba, Yinli Wang, Yi Shuang, Yuji Sutou, Ikufumi Katayama, et al. Thermally-induced nanoscale phase change in chalcogenide glass Cr2Ge2Te6 revealed by scanning tunneling microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 1
  • Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Yi Shuang, Mihyeon Kim, Yuji Sutou. Origins of midgap states in Te-based Ovonic threshold switch materials. Acta Materialia. 2023. 258
  • Yi Shuang, Qian Chen, Mihyeon Kim, Yinli Wang, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Paul Fons, Daisuke Ando, Momoji Kubo, Yuji Sutou. NbTe4 Phase-Change Material: Breaking the Phase-Change Temperature Balance in 2D Van der Waals Transition-Metal Binary Chalcogenide. Advanced Materials. 2023. 35. 39
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MISC (89件)：
  • 薗部駿太, 安藤大輔, 須藤祐司, 栗田大樹, 成田史生. 合金化亜鉛めっき層のパウダリング耐性改善に向けたスパッタリング成膜による検証. 材料とプロセス(CD-ROM). 2022. 35. 2
  • 須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, YI Shunag. 相変化メモリの高性能化:新材料創成からのアプローチ. 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM). 2021. 85th
  • 畑山祥吾, 畑山祥吾, 小林啓介, 小林啓介, 齊藤雄太, FONS Paul, FONS Paul, YI Shuang, 森竣祐, KOLOBOV Alexander V., et al. 遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 齊藤雄太, 畑山祥吾, 畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司. 層状カルコゲナイドにおける化学結合の次元変化を伴う結晶化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 金美賢, 森竣祐, 双逸, 畑山祥吾, 安藤大輔, 須藤祐司. ウルツ鉱型MnTe薄膜における電気伝導機構. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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特許 (24件)：
  • 超弾性効果及び/又は形状記憶効果を発現するマグネシウム合金
  • 銅ペーストの焼成方法
  • 太陽電池及びその製造方法
  • 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具
  • 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具
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書籍 (4件)：
  • 第5版鉄鋼便覧, 第3巻35.7節(析出物データベース)
    2014
  • SiCパワーデバイス最新技術
    2010
  • Shaped Crystals Growth by Micro-Pulling-Down Technique
    Springer 2007
  • Encyclopedia of Materials: Science and Technology Updates
    Elsevier, Oxford 2005
講演・口頭発表等 (181件)：
  • 相変化メモリ材料の研究開発動向
    (R031委員会 第4回研究会「次世代メモリデバイス技術の最前線」 2022)
  • Transition-metal chalcogenides enabling low-power phase change memory: Inverse resistance change Cr2Ge2Te6 and Polymorphic MnTe films
    (EPCOS2021 2021)
  • 相変化メモリの高性能化: 新材料創成からのアプローチ
    (第85回半導体・集積回路技術シンポジウム 2021)
  • Phase change materials enabling low-energy PCRAM
    (AWAD 2021 2021)
  • 省エネ・高速化に向けた 新相変化メモリ材料開発
    (応用物理学会 2021)
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学歴 (2件)：
  • - 2001 東北大学 工学研究科 材料物性学科
  • - 1996 東北大学 工学部 材料物性学専攻
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (6件)：
  • 2020/01 - 現在 東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 教授
  • 2007/04 - 2020/12 東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 准教授
  • 2004/04 - 2007/03 東北大学先進医工学研究機構 助手
  • 2001/04 - 2004/03 東北大学大学院工学研究科 日本学術振興会特別研究員PD
  • 2003/09 - 2003/10 ワシントン大学 客員研究員
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委員歴 (2件)：
  • 2015/10 - 現在 日本材料科学会 北海道・東北支部支部長 支部長
  • 2013/04 - 現在 PCOS(Symposium om Phase Chanhe Oriented Science)幹事会 幹事会委員
受賞 (20件)：
  • 2019/03 - 日本鉄鋼協会 卓越論文賞
  • 2018/02 - 日本学術振興会 第14回 日本学術振興会賞
  • 2016/12/02 - 青葉工学振興会 青葉工学振興会賞
  • 2016/09/21 - 日本金属学会 まてりあ論文賞
  • 2015/05 - 本多記念会 第36回本多記念研究奨励賞
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所属学会 (5件)：
応用物理学会 ,  形状記憶合金協会 ,  日本鉄鋼協会 ,  日本金属学会 ,  日本材料科学会
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