研究者
J-GLOBAL ID:200901030908973091   更新日: 2024年03月11日

乗松 航

Norimatsu Wataru
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): https://www.nano.sci.waseda.ac.jp/
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2022 - 2024 固体電解質/ナノカーボン界面でのLi挿入脱離機構解明と新機能創出
  • 2020 - 2022 固体電解質/高品質単一方位グラフェンによるリチウム挿入脱離現象の解明
  • 2018 - 2021 半絶縁性SiC上ウェハスケールグラフェンはエレクトロニクス応用に最適なのか?
  • 2016 - 2018 ポストグラフェンを目指した新規二次元Al-C物質AlCeneの実験的・理論的研究
  • 2014 - 2017 SiCをプラットフォームとする新規グラフェン成長手法の確立
全件表示
論文 (70件):
  • Satoshi Yamamoto, Munekazu Motoyama, Masahiko Suzuki, Ryotaro Sakakibara, Norikazu Ishigaki, Akichika Kumatani, Wataru Norimatsu, Yasutoshi Iriyama. Electrochemical Li+ Insertion/Extraction Reactions at LiPON/Epitaxial Graphene Interfaces. ACS Nano. 2023. 17. 17. 16448-16460
  • Ryotaro Sakakibara, Jianfeng Bao, Keisuke Yuhara, Keita Matsuda, Tomo-o Terasawa, Michiko Kusunoki, Wataru Norimatsu. Step unbunching phenomenon on 4H-SiC (0001) surface during hydrogen etching. Applied Physics Letters. 2023. 123. 3
  • Ryotaro Sakakibara, Jianfeng Bao, Naoki Hayashi, Takahiro Ito, Hiroki Hibino, Wataru Norimatsu. Control of rotation angles of multilayer graphene on SiC (000 1 ̅ ) by substrate off-direction and angle. Journal of Physics: Condensed Matter. 2023. 35. 38. 385001-385001
  • Ryotaro Sakakibara, Wataru Norimatsu. Microscopic mechanism of hydrogen intercalation: On the conversion of the buffer layer on SiC to graphene. PHYSICAL REVIEW B. 2022. 105. 23
  • Keiju Sato, Naoki Hayashi, Takahiro Ito, Noriyuki Masago, Makoto Takamura, Mitsuru Morimoto, Takuji Maekawa, Doyoon Lee, Kuan Qiao, Jeehwan Kim, et al. Observation of a flat band and bandgap in millimeter-scale twisted bilayer graphene. COMMUNICATIONS MATERIALS. 2021. 2. 1
もっと見る
MISC (3件):
  • 近藤大斗, 榊原涼太郎, 林直輝, 伊藤孝寛, 遠藤彰, 鈴木舞奈佳, 石井祐太, 若林裕助, 乗松航. グラフェン形成によるTaC薄膜の超伝導転移温度向上とそのメカニズム. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • 乗松 航, 増森 淳史, 舟橋 良次, 遠藤 彰, 楠 美智子. SiC上高濃度ホウ素ドープグラフェンの物性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2016. 2016.2. 3529-3529
  • 乗松 航, 丸山 雄大, 笹井 亮, 高瀬 浩一, 楠 美智子. 23pPSB-64 Siドープカーボンナノチューブ配向膜の電気的および結晶学的特徴(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在)). 日本物理学会講演概要集. 2010. 65. 0. 644-644
講演・口頭発表等 (324件):
  • グラフェン/SiC系を基盤とした低次元物質科学研究 (招待講演)
    (凝縮系物質科学研究所シンポジウム 2023)
  • 4H-SiC基板表面におけるステップアンバンチング現象
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • SiC基板上ツイスト2層グラフェンの作製と電子状態 (招待講演)
    (第35回QLCセミナー 2022)
  • Observation of flat band in millimetre-scale magic-angle twisted bilayer graphene (Invited talk)
    (6th International Symposium on Frontiers in Materials Science (FMS2022) 2022)
  • グラフェン形成によるTaC薄膜の超伝導転移温度向上とそのメカニズム
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
もっと見る
経歴 (6件):
  • 2023/04 - 現在 早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科 教授
  • 2023/04 - 2024/03 名古屋大学 大学院工学研究科 客員教授
  • 2018/04 - 2023/03 名古屋大学 大学院工学研究科 化学システム工学専攻 材料化学 准教授
  • 2017/04/01 - 2018/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 生命分子工学専攻 分子生命化学 助教
  • 2011/04/01 - 2017/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 化学・生物工学専攻 無機材料・計測化学 助教
全件表示
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る